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　　近日，第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）在德国不来梅成功举办。我校副校长（主持行政工作）盛况教授因在“碳化硅功率器件方向的学术成就以及在ISPSD会议组织方面的贡献”入选ISPSD名人堂（Hall of Fame），成为继陈星弼院士后第二位获此殊荣的中国大陆学者。

　　作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件和功率集成电路的设计、工艺、封装和应用等方向，是功率器件领域最具影响力和规模最大的国际学术会议，被认为是该领域的奥林匹克会议，三十多年以来一直都是国际产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。为了表彰在功率半导体领域做出杰出贡献的研究者，会议从2018年开始设立名人堂（Hall of Fame），除首届名人堂以外，每年仅有2至3名入选者。

　　盛况教授于2009年入选教育部“长江学者奖励计划”特聘教授，2012年获国家杰出青年科学基金资助，2013年入选国家“万人计划”科技创新领军人才。其研究方向涵盖了功率半导体器件设计、制造和应用等多个领域，他曾担任2019年第31届ISPSD大会主席，是该会议成立30年以来首次在中国大陆举办，此后他担任ISPSD咨询委员会委员和IEEE Transactions on Electron Devices等期刊编委，为提高中国在国际功率半导体领域的声誉和影响力发挥了重要作用。同时，在国内他还担任科技部重点研发计划新型显示与战略性电子材料总体专家组专家、若干全国重点实验室学术委员会委员。曾获国家技术发明奖二等奖和中国侨界贡献奖等荣誉。

　　盛况教授在顶级国际学术会议摘得桂冠，扩大了中国功率半导体领域在国际舞台上的影响，同时也勉励后来的科研人员为功率半导体领域的发展做出更多更大的贡献，让全球业界同仁听到更多来自中国的声音。